Various Phenomena on PSI. PSI in Plasma Processing Devices. Plasma Etching.
Author:
Affiliation:
1. Graduate School of Engineering,Kyoto University,Kyoto 606-8501,Japan
Publisher
Japan Society of Plasma Science and Nuclear Fusion Research
Link
http://www.jstage.jst.go.jp/article/jspf/75/4/75_4_350/_pdf
Reference56 articles.
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Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. The Development of a Compact Pulsed Power Supply with Semiconductor Series Connection;Electronics;2023-11-04
2. Numerical Simulation and Technology Computer-Aided Design of Plasma Processing for the Fabrication of Semiconductor Microelectronic Devices;Journal of Plasma and Fusion Research;2004
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