具有阶梯型超晶格电子阻挡层和楔形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化-Reference-Cited by-同舟云学术

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具有阶梯型超晶格电子阻挡层和楔形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化

Published:2023 Issue:15 Volume:60 Page:1525001
ISSN:1006-4125
Container-title:Laser & Optoelectronics Progress
language:en
Short-container-title:激光与光电子学进展

Author:

Zhang Aoxiang 张傲翔,Ren Bingyang 任炳阳,Wang Fang 王芳,Liou Juin. J. 刘俊杰,Liu Yuhuai 刘玉怀

Publisher

Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics

Subject

Electrical and Electronic Engineering,Atomic and Molecular Physics, and Optics

Reference50 articles.

1. The emergence and prospects of deep-ultraviolet light-emitting diode technologies;J Han;Nature Photonics,2019

2. Demonstration of an ultraviolet 336 nm AlGaN multiple-quantum-well laser diode;M Kuwabara;Applied Physics Letters,2008

3. DSA in combination with DUV lithography for sub-10 nm manufacturing;X H Hu;Laser & Optoelectronics Progress,2022

4. 亚十纳米导向自组装与深紫外混合光刻技术;李自力;激光与光电子学进展,2022

5. Control measures for SARS-CoV-2: a review on light-based inactivation of single-stranded RNA viruses;M Dunowska;Pathogens,2020

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. AlGaN基深紫外LED新型透明电极芯片及阵列器件消毒效率研究;Laser & Optoelectronics Progress;2024

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