原子层沉积Al2O3钝化对InAs/InGaAsSb Ⅱ类超晶格发光特性的影响

Author:

XIANG Chao 项超,WANG Dengkui 王登魁,FANG Xuan 方铉,FANG Dan 房丹,YAN Hao 闫昊,LI Jinhua 李金华,WANG Xiaohua 王晓华,DU Peng 杜鹏

Publisher

Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics

Reference22 articles.

1. Minority carrier lifetimes in ideal InGaSb/InAs superlattices;H EHRENREICH;Applied Physics Letters,1992

2. Proposal for strained type II superlattice infrared detectors;C MAILHIOT;Journal of applied Physics,1987

3. 表面钝化对多晶硅绒面形貌的影响;王坤霞;光子学报,2012

4. Influence of multi-crystalline silicon surfaces passivation on pit topography of textured surface;Shimeng FENG;Acta Photonica Sinica,2012

5. 氢对GaAs薄膜的钝化作用;朱慧群;光子学报,2006

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