量子阱渐变层材料及结构对GaN基LED性能的影响-Reference-Cited by-同舟云学术

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量子阱渐变层材料及结构对GaN基LED性能的影响

Published:2023 Issue:4 Volume:43 Page:0416002
ISSN:0253-2239
Container-title:Acta Optica Sinica
language:en
Short-container-title:光学学报

Author:

Wang Jinjun 王进军,Yang Yanying 杨艳莹,Bai Binhui 白斌辉,Xu Chenyu 徐晨昱

Publisher

Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics

Subject

Atomic and Molecular Physics, and Optics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference37 articles.

1. Development summary of semiconductor lighting in China;J M Li;Acta Optica Sinica,2021

2. 中国半导体照明发展综述;李晋闽;光学学报,2021

3. Strain induced variations in band offsets and built-in electric fields in InGaN/GaN multiple quantum wells;V Avrutin;Journal of Applied Physics,2013

4. Improved performance of InGaN/GaN LED by optimizing the properties of the bulk and interface of ITO on p-GaN;H N Harun;Applied Surface Science,2021

5. In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能;朱丽虹;物理学报,2010

Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. 基于纹波特性的白光LED器件动态及稳态光通量模型;Acta Optica Sinica;2023

2. 微环发光二极管通信探测一体化研究;Acta Optica Sinica;2023

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