DIODE p-i-n-STRUCTURES BASED ON NEUTRON DOPED Si1-xGex-ALLOYS
Author:
Affiliation:
1. St. Petersburg Nuclear Physics Institute RAS, 188300 Gatchina, Russia
2. Texas Tech University, Lubbock, TX 79409, USA
3. X-FAB Texas, Inc. 2301 N. University Ave., Lubbock, TX 79415, USA
Abstract
Publisher
World Scientific Pub Co Pte Lt
Subject
Condensed Matter Physics,Statistical and Nonlinear Physics
Link
https://www.worldscientific.com/doi/pdf/10.1142/S0217979211058869
Reference7 articles.
1. Neutron Transmutation Doping in Semiconductors
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