STM study of pulsed laser assisted growth of Ge quantum dot on Si(1 0 0)-(2 × 1)
Author:
Publisher
EDP Sciences
Subject
Condensed Matter Physics,Instrumentation,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Link
http://www.epjap.org/10.1051/epjap/2013130266/pdf
Reference23 articles.
1. Ge/Si Self-Assembled Quantum Dots and Their Optoelectronic Device Applications
2. Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(100)
3. STM study of the Ge growth mode on Si(001) substrates
4. Transition States Between Pyramids and Domes During Ge/Si Island Growth
5. Influence of the growth parameters on self-assembled Ge islands on Si(100)
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