Properties of arsenic–implanted Hg1-xCdxTe MBE films
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Publisher
EDP Sciences
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http://epjwoc.epj.org/10.1051/epjconf/201713301001/pdf
Reference11 articles.
1. p-on-n HgCdTe Infrared Focal-Plane Arrays: From Short-Wave to Very-Long-Wave Infrared
2. CdHgTe heterostructures on large-area Si(310) substrates for infrared photodetector arrays of the short-wavelength spectral range
3. Arsenic Diffusion Study in HgCdTe for Low p-Type Doping in Auger-Suppressed Photodiodes
4. Defects in heteroepitaxial CdHgTe/Si layers and their behavior under conditions of implanted p +-n photodiode structure formation
5. Conversion of conductivity type in Cu-doped Hg0.8Cd0.2Te crystals under ion beam milling
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