High voltage RESURF LDMOS for smart power integrated circuits-Reference-Cited by-同舟云学术

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High voltage RESURF LDMOS for smart power integrated circuits

Published:1989 Issue:10 Volume:24 Page:993-1000
ISSN:0035-1687
Container-title:Revue de Physique Appliquée
language:
Short-container-title:Rev. Phys. Appl. (Paris)

Author:

Charitat G.,Nezar A.,Rossel P.

Publisher

EDP Sciences

Link

http://rphysap.journaldephysique.org/10.1051/rphysap:019890024010099300/pdf

Reference12 articles.

Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. A new analytical model for determination of breakdown voltage of Resurf structures;Solid-State Electronics;1996-09

2. Power devices modelling: on and off state;Microelectronics Journal;1993-01

3. Voltage handling capability and termination techniques of silicon power semiconductor devices;Proceedings of the 2001 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.01CH37212)

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