Influence of Optimization of Process Parameters on Threshold Voltage for Development of HfO2/TiSi218 nm PMOS-Reference-Cited by-同舟云学术

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Influence of Optimization of Process Parameters on Threshold Voltage for Development of HfO2/TiSi218 nm PMOS

Published:2016 Issue: Volume:78 Page:01019
ISSN:2261-236X
Container-title:MATEC Web of Conferences
language:
Short-container-title:MATEC Web Conf.

Author:

Atan N.,Ahmad Ibrahim,Majlis B.Y.,Azle M.F

Publisher

EDP Sciences

Subject

General Medicine

Link

http://www.matec-conferences.org/10.1051/matecconf/20167801019/pdf

Reference11 articles.

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4. Atan N., Majlis B. Y., Ahmad I.,Semiconductor Electronics (ICSE), IEEE International Conference, 56 (2014)

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