The Basic Parameters of Diffusion Welded Al Schottky Contacts to p- and n-SiC

Author:

Korolkov Oleg1,Sleptsuk Natalja1,Ruut J.,Rang Toomas1

Affiliation:

1. Tallinn University of Technology

Publisher

Trans Tech Publications, Ltd.

Subject

Mechanical Engineering,Mechanics of Materials,Condensed Matter Physics,General Materials Science

Reference7 articles.

1. O. Korolkov, T. Rang, A. Syrkin. and V. Dmitirev: Proc. Of European Conference on SiC and Related Materials (ECSCRM'2002) Sept. 1-5, Linköping, Sweden, pp.697-700.

2. Q. Zhang, V. Madangarli, M. Tarplee, and T.S. Sudarshan: J. Electron. Mater. 30, 3, (2001), pp.196-201.

3. W.R. Harrell, J. Zhang, and K.F. Poole: J. Electron. Mater. 31, 10, (2002).

4. O. Korolkov and T. Rang: Mater. Sci. Forum 603, (2001), pp.353-356.

5. S.M. Sze: Physical of Semiconductor Devices. 2nd ed. (New York: Wiley, 1981).

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