Suppression of Leakage Current Increase of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes during High-Temperature Annealing by "Face-to-Face" Arrangement
Author:
Affiliation:
1. Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)
2. Fuji Electric Advanced Technology Co., Ltd.
3. Fuji Electric Corporate Research & Development Ltd
Publisher
Trans Tech Publications, Ltd.
Subject
Mechanical Engineering,Mechanics of Materials,Condensed Matter Physics,General Materials Science
Link
https://www.scientific.net/MSF.433-436.685.pdf
Reference5 articles.
1. T. Tsuji, S. Izumi, A. Ueda, H. Fujisawa, K. Ueno, H. Tsuchida, I. Kamata, T. Jikimoto and K. Izumi : Materials Science Forum Vol. 389-393(2002), p.1141.
2. M. A. Capano, S. Ryu, M. R. Melloch, J. A. Cooper, Jr., and M. R. Buss : J. Electron. Mater. Vol. 27(1998), p.370.
3. M. A. Capano, S. Ryu, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, K. Rottner, S. Karlsson, N. Nordell, A. Powell, and D. E. Walker, Jr. : J. Electron. Mater. Vol. 28(1999), p.214.
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