Irradiation Induced Lattice Defects in In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As Pin Photodiodes-Reference-Cited by-同舟云学术

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Irradiation Induced Lattice Defects in In_0.53Ga_0.47As Pin Photodiodes

Published:1997-12 Issue: Volume:258-263 Page:1217-1222
ISSN:1662-9752
Container-title:Materials Science Forum
language:
Short-container-title:MSF

Author:

Kudou T.¹,Ohyama H.¹,Vanhellemont Jan²,Simoen Eddy³,Claeys Cor³,Takami Y.⁴,Fujii Akihiro,Sunaga H.⁵

Affiliation:

1. Kumamoto National College of Technology

2. Ghent University

3. IMEC Interuniversity Microelectronics Center

4. Rikkyo University

5. Takasaki JAERI

Publisher

Trans Tech Publications, Ltd.

Subject

Mechanical Engineering,Mechanics of Materials,Condensed Matter Physics,General Materials Science

Link

https://www.scientific.net/MSF.258-263.1217.pdf

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