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Fabrication and Characterization of 4H-SiC pn Diode with Field Limiting Ring

  • Published:2004-06 Issue: Volume:457-460 Page:1013-1016
  • ISSN:1662-9752
  • Container-title:Materials Science Forum
  • language:
  • Short-container-title:MSF

Author:

Bahng Wook1,Song Geun Ho1,Kim Hyoung Wook2,Seo K.S.1,Kim Nam Kyun1

Affiliation:

1. Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)

2. Korea Institute of Machinery and Materials

Publisher

Trans Tech Publications, Ltd.

Subject

Mechanical Engineering,Mechanics of Materials,Condensed Matter Physics,General Materials Science

Reference5 articles.

1. B. J. Baliga, Modern Power Devices (John Wiley & Sons, 1987), Chap. 3.

2. H. Onose, S. Oikawa, T. Yatsuo and Yutaka, Proc. ISPSD2000, Toulouse, 245.

3. H. W. Kim, W. Bahng, G. H. Song, S. C. Kim, N. K. Kim and E. D. Kim, in this proceeding.

4. Y. Negoro, N. Miyamoto, T. Kimoto and H. Matsunami, IEEE Trans. Electron Device, 49 (2002), p.1505.

5. M. A. Capano, S. Ryu, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, K. Rottner, S. Karlsson, N. Nordell, A. Powell and D. E. Walker, Jr., J. Electron. Mater., 28 (1999), p.214.

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