гностика плазмы методом оптической эмиссионной спектроскопии при осаждении покрытий Mo-Hf-Si-B с помощью технологии HIPIMS

Abstract

В данной работе проведена диагностика плазмы при осаждении покрытий Mo-Hf-Si-B методом HIPIMS, исследованы структурные характеристики, элементный и фазовый состав, а также скорости роста полученных покрытий; выявлены закономерности влияния расхода рабочего газа на состав плазмы. Установлено, что увеличение расхода аргона приводит к росту эффективности ионизации металлических элементов в режиме HIPIMS. При использовании метода DCMS наблюдается преимущественно аргоновая плазма, в то время как при HIPIMS плазма характеризуется большим количеством ионов Mon+, Sin+и Вn+. Результаты показали, что покрытие Mo-Hf-Si-B, осажденное при постоянном токе, содержит столбчатые кристаллиты h-MoSi2 размером прядка 70 нм, текстурированные в направлении [100]. Переход к режиму HIPIMS привел к подавлению столбчатого роста зерен и измельчению структуры.