Author:
Дацко И.,Лабецкая Н.,Чайковский С.,Ванькевич В.,Орешкин В.
Abstract
Задачей данной работы являлось исследование динамики плазмы и ее плотности на поверхности металла при значениях магнитной индукции до 7∙106 Гс и скоростях ее нарастания (2–7)∙1013 Гс/с. Эксперименты проводились на сильноточном генераторе МИГ при амплитуде тока до 2.5 МА и времени его нарастания 100 нс. Образование плазмы на поверхности проводника регистрировалось по ее свечению в видимом диапазоне с помощью четырехкадровой оптической камеры со временем экспозиции каждого кадра 3 нс. Внутренняя структура поверхностной плазмы, оценка плотности вещества в ней и его радиального распределения исследовалась по рентгенограммам, полученным методом просвечивания рентгеновским излучением с һν≥ 0.8 кэВ и временем экспозиции 2–3 нс, которое формируется в «горячей точке» Х-пинча. По данным рентгенографических исследований электрического взрыва проводников восстанавливался профиль распределения вещества с помощью разработанного расчетного кода с использованием преобразования Абеля. Показано, что при росте тока на поверхности цилиндрического проводника загораются «пятна», являющиеся центрами плазмообразования [1, 2]. В дальнейшем в этой плазме развиваются токовые каналы, охватывающие всю поверхность проводника. Получены зависимости μ∙ρ от радиуса проводника в выбранном сечении рентгенограммы. Значение массового коэффициента поглощения излучения μ определялось из рентгенограмм пропускания ступенчатых фильтров, материал которых совпадал с материалом взрываемого проводника. Определены и построены зависимости плотности вещества нагрузки ρ от ее радиуса в различные моменты времени от начала тока.
Reference12 articles.
1. Datsko I.M., Labetskaya N.A., Chaikovsky S.A., et al., J. Phys. Conf. Ser., 2064, 012012, 2021; doi:10.1088/1742-6596/2064/1/012012
2. Awe T.J., Yu E.P., Yates K.C., et al., IEEE Trans. Plasma Sci., 45(4), 584, 2017; doi: 10.1109/TPS.2017.2655450
3. Бурцев В.А., Калинин Н.В., Лучинский А.В., Электрический взрыв проводников и его применение в электрофизических установках. (Москва: Энергоатомиздат, 1990).
4. Oreshkin V.I., Barengol’ts S.A., Chaikovsky S.A., Tech. Phys., 52, 642, 2007; doi: 10.1134/S1063784207050179
5. Oreshkin V.I., Chaikovsky S.A., Phys. Plasma, 19, 022706, 2012; doi: 10.1063/1.3683557
Cited by
1 articles.
订阅此论文施引文献
订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献