Поток энергии на подложку в процессе дуального магнетронного осаждения покрытий TiAlN

Abstract

Представлены результаты измерения зависимости плотности потока энергии на подложку от частоты (коэффициента заполнения) импульсов в процессе нанесения покрытий TiAlN с помощью дуальной распылительной системы с металлическими Ti и Al катодами. Показано, что плотность потока энергии увеличивается на 20–30% при уменьшении коэффициента заполнения питающих импульсов с 40 до 6% при постоянной средней мощности разряда. Уменьшение коэффициента заполнения импульсов также приводит к уменьшению скорости роста покрытий. Два этих фактора определяют шестикратное увеличение удельной энергии, передаваемой покрытию в процессе нанесения. Таким образом, в работе показано, что регулировка коэффициента заполнения импульсов может выступать в качестве способа управления удельной энергии, сообщаемой покрытию, для получения нужных структуры и свойств.