1. C. J. Lin, S. H. Kang, Y. J. Wang, K. Lee, X. Zhu, W. C. Chen, X. Li, W. N. Hsu, Y. C. Kao, M. T. Liu, W. C. Chen, Yi Ching Lin, M. Nowak, N. Yu, and L. Tran, IEEE Int. Electron Devices, 1 (2009).
2. S. W. Chung, T. Kishi, J. W. Park, M. Yoshikawa, K. S. Park, T. Nagase, K. Sunouchi, H. Kanaya, G. C. Kim, K. Noma, M. S. Lee, A. Yamamoto, K. M. Rho, K. Tsuchida, S. J. Chung, J. Y. Yi, H. S. Kim, Y. S. Chun, H. Oyamatsu, and S. J. Hong, IEEE Int. Electron Devices, 27.1.1 (2016).
3. H. Noguchi, K. Ikegami, K. Kushida, K. Abe, S. Itai, S. Takaya, N. Shimomura, J. Ito, A. Kawasumi, H. Hara, and S. Fujita, IEEE Int. Solid-State Circuits Conf., 1 (2015).
4. Y. D. Chih, Y. C. Shih, C. F. Lee, Y. A. Chang, P. H. Lee, H. J. Lin, Y. L. Chen, C. P. Lo, M. C. Shih, K. H. Shen, H. Chuang, and T. Y. J. Chang, IEEE Int. Sol-id-State Circuits Conf., 222 (2020).
5. S. Yuasa, A. Fukushima, K. Yakushiji, T. Nozaki, M. Konoto, H. Maehara, H. Kubota, T. Taniguchi, H. Arai, H. Imamura, K. Ando, Y. Shiota, F. Bonell, Y. Suzuki, N. Shimomura, E. Kitagawa, J. Ito, S. Fujita, K. Abe, K. Nomura, H. Noguchi, and H. Yoda, IEEE Int. Electron Devices, 3.1.1 (2013).