Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії

Abstract

У даній роботі розглянуто особливості гетерування рекомбінаційно-активних домішок у полікристалічному кремнії методом, що включає послідовне формування шару пористого кремнію товщиною 0,5–2 мкм на зворотному боці кремнієвої пластини, осадження шару алюмінію товщиною 0,5–1 мкм та термічний відпал при 700–950 ºС протягом від 30 до 60 хв. Запропоновано модель гетерування даним методом, яка включає дифузію атомів заліза по двох найбільш ймовірних незалежних каналах – в об'ємі пластини та по границях зерен. Із зіставлення результатів моделі з експериментальними даними встановлено, що 30% атомів відгетерованої домішки дифундують прискорено по границях зерен, a 70% – в об'ємі зерен.