Author:
Мілованов Ю.С.,Гаврильченко І.В.,Гайворонський В.Я.,Кузнецов Г.В.,Скришевський В.А.
Abstract
Досліджено інжекційні механізми перенос носіїв заряду в гетероструктурах Tі–TіО2–(n, p)Sі. Розглянуто вплив структури пористого шару TіО2 і типу кремнієвої підкладки на електричні характеристики структур. Перенос носіїв заряду відбувається за умов існування компенсуючого поляризаційного заряду на поверхні TіО2 наночастинок. Встановлено кореляції між типом адсорбованих молекул і умовами проходження струму. У структурах Ті–ТіО2–p-Sі зміна співвідношення інжектованих електронів та дірок може приводити до ефекту негативної провідності.
Publisher
National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)
Subject
General Physics and Astronomy