Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4-Reference-Cited by-同舟云学术

Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4

Published:2021-12-05 Issue:10 Volume:57 Page:1050
ISSN:2071-0194
Container-title:Ukrainian Journal of Physics
language:
Short-container-title:Ukr. J. Phys.

Author:

Мирончук Г.Л.,Давидюк Г.Є.,Парасюк О.В.,Шевчук М.В.,Якимчук О.В.,Данильчук С.П.

Abstract

Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати.

Publisher

National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)

Subject

General Physics and Astronomy

Reference9 articles.

1. 1. M.V. Shevchuk, V.V. Atuchin, A.V. Kityk, A.O. Fedorchuk, Y.E. Romanyuk, S. Calus, O.M. Yurchenko, and O.V. Parasyuk, J. Cryst. Growth 318, 708 (2011).

2. 2. V.L. Bonch-Bruevich, R. Enderlein, B. Esser, R. Keiper, A.G. Mironov, and I.P. Zvyagin, Elektronentheorie Ungeordneter Halbleiter (Deutscher Verlag der Wissenschaften, Berlin, 1984).

3. 3. L.S. Stilbans, Physics of Semiconductors (Sovetskoe Radio, Moscow, 1967) (in Russian).

4. 4. N.F. Mott and E.A. Davies, Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford University Press, Oxford, 1979).

5. 5. N.A. Vainshtein, A.F. Zatsepin, V.S. Kortov, and Yu.V. Shchapova, Fiz. Tverd. Tela 42, 224 (2000).