Author:
Оленич І.Б.,Монастирський Л.С.,Аксіментьєва О.І.,Соколовський Б.С.
Abstract
Вивчено вплив адсорбційно-десорбційних процесів водяної пари на електричну провідність і високочастотну ємність сенсорних структур на основі поруватого кремнію в температурному діапазоні 15–40 ºC. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності залежно від концентрації водяної пари. Для оцінки сенсорних властивостей було розраховано адсорбційну чутливість структур на основі поруватого кремнію та багатошарових структур з плівкою каталітичного матеріалу. Досліджено кінетику відклику структур на зміну концентрації водяної пари. Отримані результати дозволяють оптимізувати процеси формування сенсорів вологості на основі поруватого кремнію.
Publisher
National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)
Subject
General Physics and Astronomy
Reference12 articles.
1. 1. Yu.A. Vashpanov and V.A. Smyntyna, Adsorption Sensitivity of Semiconductors (Astroprint, Odesa, 2005) (in Russian).
2. 2. Z.M. Rittersma, W.J. Zaagman, M. Zetstra, and W. Beneke, Smart Mater. Struct. 9, 351 (2000).
3. 3. S.-J. Kim, J.-Y. Park, S.-H. Lee, and S.-H. Yi, J. Phys. D: Appl. Phys. 33, 1781 (2000).
4. 4. C. Baratto, G. Faglia, G. Sberveglieri et al., Sensors 2, 121 (2002).
5. 5. S. Misra, R. Bhattacharya, and R. Angelucci, J. Indian Inst. Sci. 81, 563 (2001).
Cited by
2 articles.
订阅此论文施引文献
订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献