Author:
Вакуленко О.В.,Головинський С.Л.,Кондратенко С.В.,Гринь І.А.,Стрільчук В.В.
Abstract
У даній роботі досліджено In0,4Ga0,6As/GaAs гетероструктуру з ланцюгами квантових точок. Температурними дослідженнями темнового струму встановлено існування анізотропії електричних властивостей структури у температурному діапазоні від 77до 150 К. Обчислено значення величин локалізації хвильової функції та середню довжину стрибка у гетеросистемі. Методом спектроскопії латерального фотоструму та фотолюмінесценції досліджено енергетичну структуру гетеросистеми. Запропоновано теоретичну модель опису температурної залежності латерального фотоструму, в рамках якої з експериментальної залежності отримано значення енергій активації для електронів та важких дірок.
Publisher
National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)
Subject
General Physics and Astronomy
Reference25 articles.
1. 1. D. Bimberg, M. Grudmann, and N.N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (Wiley, New York, 1999).
2. 2. T. Lundstrom, W. Schoenfeld, H. Lee, and P.M. Petroff, Science 286, 2312 (1999).
3. 3. H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J.P. Kotthaus, and P.M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 73, 2252 (1994).
4. 4. L.I. Glazman and R.C. Ashoori, Science 304, 524 (2004).
5. 5. Q.D. Zhuang, J.M. Li, Y.P. Zeng, L. Pan, Y.H. Chen, M.Y. Kong, and L.Y. Lin, J. Electron. Mater. 28, 503 (1999).