Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si-Reference-Cited by-同舟云学术

Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si

Published:2022-02-17 Issue:1 Volume:56 Page:69
ISSN:2071-0194
Container-title:Ukrainian Journal of Physics
language:
Short-container-title:Ukr. J. Phys.

Author:

Федосов А.В.,Луньов С.В.,Федосов С.А.

Abstract

Досліджено монокристали $n$-Si з вихідною концентрацією носіїв струму 1,24 · 1014 см–3, опромінені γ-квантами Co60 дозою 3,8 · 1017 кв/см2. Досліджено п'єзоопір γ-опромінених кристалів n-Si за умови, коли X ║ J ║ [100] та X ║ J ║ [110]. Представлено метод розрахунку швидкості зміщення і оцінено ступінь заповнення α глибоких рівнів. Обчисленовеличину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC – 0,17 еВ і нижніми долинами зони провідності n-Si при одновісній пружній деформації вздовж кристалографічних напрямків [100] і [110]. Визначено середнє значення коефіцієнта α (ступінь заповнення глибоких енергетичних рівнів) для різних температур.

Publisher

National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)

Subject

General Physics and Astronomy

Reference8 articles.

1. 1. I.D. Konozenko, A.K. Semenyuk, and V.I. Hivrich, Radiation-Induced Effects in Silicon (Kyiv, Naukova Dumka, 1974) (in Russian).

2. 2. A.K. Semenyuk, Radiation-Induced Effects in Multivalley Semiconductors (Nadstyr'ya, Luts'k, 2001) (in Ukrainian).

3. 3. P.I. Baranskii, I.S. Buda, I.V. Dakhovskii, and V.V. Kolomoets, Electrical and Galvano-Magnetic Phenomena in Anisotropic Semiconductors (Kyiv, Naukova Dumka, 1977) (in Russian).

4. 4. A.V. Fedosov, S.V. Luniov, and S.A. Fedosov, Ukr. Fiz. Zh. 55, 323 (2010).

5. 5. A.V. Fedosov, S.V. Luniov, D.A. Zakharchuk, S.A. Fedosov, and V.S. Tymoshchuk, Nauk. Visn. Volyn. Nats. Univ. Ser. Fiz. Nauky 18, 54 (2008).

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Exploring nanovoids in spinel ceramics using positron–positronium trapping model;Molecular Crystals and Liquid Crystals;2024-06-24