О корректности математических моделей диффузии, обусловленной остро сфокусированным электронным зондом в однородном полупроводниковом материале-Reference-Cited by-同舟云学术

О корректности математических моделей диффузии, обусловленной остро сфокусированным электронным зондом в однородном полупроводниковом материале

Published:2021-03 Issue: Volume:193 Page:122-129
ISSN:0233-6723
Container-title:Итоги науки и техники. Серия «Современная математика и ее приложения. Тематические обзоры»
language:ru
Short-container-title:Итоги науки и техники. Серия «Современная математика и ее приложения. Тематические обзоры»

Author:

Степович Михаил Адольфович¹,Stepovich Mikhail Adolfovich²,Туртин Д В³,Turtin D V⁴,Серегина Елена Владимировна⁵,Seregina Elena Vladimirovna⁶

Affiliation:

1. Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского

2. Tsiolkovsky Kaluga State University

3. Российский экономический университет им. Г. В. Плеханова, г. Москва

4. Plekhanov Russian State University of Economics, Moscow

5. Калужский филиал МГТУ им. Н. Э. Баумана

6. Kaluga Branch of Bauman Moscow State Technical University

Abstract

Проведено сравнительное исследование качественных свойств двумерной и трехмерной математических моделей диффузии частиц (неравновесных неосновных носителей заряда, экситонов), генерируемых остро сфокусированным электронным зондом в однородном полупроводниковом материале. Показано, что рассматриваемые математические модели являются математически корректными и могут быть применены для оценки электрофизических параметров однородных полупроводниковых мишеней по результатам экспериментальных измерений.

Funder

Russian Foundation for Basic Research

Publisher

Russian Institute for Scientific and Technical Information - VINITI RAS

Reference16 articles.

1. Определение электрофизических параметров полупроводников в растровом электронном микроскопе методами наведенного тока и катодолюминесценции;Михеев Н. Н., Никоноров И. М., Петров В. И., Степович М. А.;Изв. АН СССР. Сер. физ.,1990

2. Количественный анализ материалов полупроводниковой оптоэлектроники методами растровой электронной микроскопии;Михеев Н. Н., Петров В. И., Степович М. А.;Изв. РАН. Сер. физ.,1991

3. Распределение энергетических потерь при взаимодействии электронного зонда с веществом;Михеев Н. Н., Степович М. А.;Заводская лаборатория. Диагностика материалов.,1996