APPLICATION OF SILICON CARBIDE SAND IN THE TECHNOLOGY OF PROCESSING THE REVERSE SIDE OF SILICON TRANSISTOR STRUCTURES-Reference-Cited by-同舟云学术

APPLICATION OF SILICON CARBIDE SAND IN THE TECHNOLOGY OF PROCESSING THE REVERSE SIDE OF SILICON TRANSISTOR STRUCTURES

Published:2023-06 Issue:18 Volume: Page:69-72
ISSN:0131-9582
Container-title:Steklo i Keramika
language:
Short-container-title:

Author:

Shakhmayeva A. R.,Kazalieva E.

Abstract

A method is proposed for processing the reverse side of silicon transistor structures before the metal deposition process and obtaining contact to the collector of the transistor being formed. The parameters of the surface roughness of the silicon surface treated with carbide–silicon sand are studied in order to improve the adhesive properties before spraying the contact to the collector region of the transistor.

Publisher

Izdatel'skii dom Spektr, LLC

Subject

Ceramics and Composites

Reference7 articles.

1. Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. М: Высш. шк., 1984. С. 40 – 42.

2. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высш. шк., 1986. С. 177–178.

3. Иванов П. А., Челноков В. Е. Полупроводниковый карбид кремния – технология и приборы, обзор // Физика и техника полупроводников. 1995. Т. 29, № 11. С. 1921 – 1943.

4. Capano M. A., Trew R. J. Silicon carbide electronic materials and devices // MRS Bulletin. 1997. V. 22, No. 3. P. 19 – 23.

5. Вьюгинов В. Н., Травин Н. К., Венедиктов О. В. и др. Развитие базовой технологии производства подложек полуизолирующего карбида кремния // Сб. ст. IV Всерос. конф. «Электроника и микроэлектроника СВЧ». СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2015. ISBN 978-5-7629-1634-9.