The Temperature-Dependent Diffusion Mechanism of Zn in InP Using the Semiclosed Diffusion Method
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy,Physics and Astronomy (miscellaneous),General Engineering
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1. Phosphorus vacancy mediated complex diffusion mechanism of Zn in InP;Materials Letters;2023-03
2. Zn diffusion from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure using diethylzinc as a p-dopant source;MATER PHYS MECH;2023
3. Theroretical Modelling of Zinc Diffusion for InGaAs/InP Planar Avalanche Photodiode;2022 Asia Communications and Photonics Conference (ACP);2022-11-05
4. InP nanowire p-type doping via Zinc indiffusion;Journal of Crystal Growth;2016-10
5. Diffusion and activation of Zn implanted into InP:S;Vacuum;2005-05
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