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Comparative Study of C–V and Transconductance of a Si δ-Doped GaAs FET Structure

  • Published:1996-04-15 Issue:Part 1, No. 4A Volume:35 Page:2008-2011
  • ISSN:0021-4922
  • Container-title:Japanese Journal of Applied Physics
  • language:en
  • Short-container-title:Jpn. J. Appl. Phys.

Author:

Suzuki Takamasa,Katsuno Motonari,Goto Hideo,Sawaki Nobuhiko,Ito Hiroshi,Hara Kunihiko

Publisher

IOP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy,Physics and Astronomy (miscellaneous),General Engineering

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Magnetotransport study of the intersubband scattering in an Si -doped GaAs;Semiconductor Science and Technology;1998-07-01
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