Multiplication Characteristics of a-Si:H p-i-n Photodiode Film in High Electric Field-Reference-Cited by-同舟云学术

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Multiplication Characteristics of a-Si:H p-i-n Photodiode Film in High Electric Field

Published:2003-04-30 Issue:Part 1, No. 4B Volume:42 Page:2345-2348
ISSN:0021-4922
Container-title:Japanese Journal of Applied Physics
language:en
Short-container-title:Jpn. J. Appl. Phys.

Author:

Akiyama Masahiro,Hanada Masaki,Sawada Kazuaki,Ishida Makoto

Publisher

IOP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy,Physics and Astronomy (miscellaneous),General Engineering

Link

http://stacks.iop.org/1347-4065/42/i=4S/a=2345/pdf

Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Amorphous Selenium and Nanostructures;Springer Handbook of Glass;2019

2. Applications;Amorphous Semiconductors;2016-12-30

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