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New Insight into the Degradation Mechanism of Nitride Spacer with Different Post-Oxide in Submicron LDD n-MOSFET's

  • Published:1998-03-30 Issue:Part 1, No. 3B Volume:37 Page:1035-1040
  • ISSN:0021-4922
  • Container-title:Japanese Journal of Applied Physics
  • language:en
  • Short-container-title:Jpn. J. Appl. Phys.

Author:

Yih C. M.,Wang C. L.,Chung Steve S.,Wu C. C.,Tan W.,Wu H. J.,Pi S.,Huang Daniel

Publisher

IOP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy,Physics and Astronomy (miscellaneous),General Engineering

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

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