Comparison of Properties of Atmospheric-Pressure Radio Frequency He/SF6/O2and He/CF4/O2Discharges
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy,Physics and Astronomy (miscellaneous),General Engineering
Reference26 articles.
1. Anisotropic etching of SiO2in low‐frequency CF4/O2and NF3/Ar plasmas
2. Tungsten etching using an electron cyclotron resonance plasma
3. Fast, smooth, and anisotropic etching of SiC using SF[sub 6]/Ar
4. Inductively coupled plasma etching of poly-SiC in SF6 chemistries
5. Reactive ion etching of a 20 nanometers tungsten gate using a SF[sub 6]∕N[sub 2] chemistry and hydrogen silsesquioxane hard mask resist
1.学者识别学者识别
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