Metamorphic HEMT Technology Exemplified by InAlAs/InGaAs/GaAs HEMTs

Author:

Hoke William,Whelan Colin

Publisher

Pan Stanford Publishing

Reference52 articles.

1. Electron mobilities in modulation‐doped semiconductor heterojunction superlattices

2. A New Field-Effect Transistor with Selectively Doped GaAs/n-AlxGa1-xAs Heterojunctions

3. An In0.15Ga0.85As/GaAs pseudomorphic single quantum well HEMT

4. High transconductance InGaAs/AlGaAs pseudomorphic modulation-doped field-effect transistors

5. Inoue, K., Nishii, K., Matsuno, T., and Onuma, T. (1987). Strained N-AlGaAs/InGaAs/N-AlGaAs selectively-doped double-heterojunction FET, International Electron Devices Meeting, Washington, D.C., Technical Digest, 33, pp.422-425.

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