Electron Mobility and Persistent Photoconductivity in Quantum Wells In0.52Al0.48As/ In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As on InP Substrate
Author:
Publisher
Pan Stanford Publishing
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http://www.crcnetbase.com/doi/pdf/10.1201/b14791-20
Reference8 articles.
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3. Epitaxial Optimization of 130-nm Gate-Length InGaAs/InAlAs/InP HEMTs for High-Frequency Applications
4. Decay kinetics of persistent photoconductivity in semiconductors
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