1. S. Lai , in
Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting
, p. 255 (2003).
2. A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, S. Hudgens, and R. Bez , in
Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting
, p. 699 (2003).
3. J. H. Oh, J. H. Park, Y. S. Lim, H. S. Lim, Y. T. Oh, J. S. Kim, J. M. Shin, J. H. Park, Y. J. Song, K. C. Ryoo, et al. , in
Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting
, p. 1 (2006).
4. Separate domain formation in Ge2Sb2Te5–SiOx mixed layer