1. Edelstein D. Heidenreich J. Goldblatt R. Cote W. Uzoh C. Lustig N. Roper P. McDevitt T. Motsiff W. Simon A. Dukovic J. Wachnik R. Rathore H. Schulz R. Su L. Luce S. Slattery J. , IEEE IEDM Tech. Digest., 773 (1997).
2. Venkatesan S. Gelatos A. V. Hisra S. Smith B. Islam R. Cope J. Wilson B. Tuttle D. Cardwell R. Anderson S. Angyal M. Bajaj R. Capasso C. Crabtree P. Das S. Farkas J. Fiordalice B. Filipiak S. Freeman M. Gilbert P. V. Herrick M. Jain A. Kawasaki H. King C. Klein J. Lii T. Reid K. Saaranen T. Simpson C. Sparks T. Tsui P. Venkatraman R. Watts D. Weitzman E. J. Woodruff R. Yang Y. Bhat N. Hamilton G. Yu Y. , In Electron Devices Meeting, 1997. IEDM'97. Technical Digest., International, pp. 769. IEEE, (1997).
3. Tyagi S. Alavi M. Bigwood R. Bramblett T. Brandenburg J. Chen W. Crew B. Hussein M. Jacob P. Kenyon C. Lo C. McIntyre B. Ma Z. Moon P. Nguyen P. Rumaner L. Schweinfurth R. Sivkumar S. Stettler M. Thompson S. Tufts B. Xu J. Yang S. Bohr M. , In Electron Devices Meeting, 2000. IEDM'00. Technical Digest. International, pp. 567. IEEE, (2000).
4. Cho H.-J. Oh H. S. Nam K. J. Kim Y. H. Yeo K. H. Kim W. D. Chung Y. S. Nam Y. S. Kim S. M. Kwon W. H. Kang M. J. Kim I. R. Fukutome H. Jeong C. W. Shin H. J. Kim Y. S. Kim D. W. Park S. H. Oh H. S. Jeong J. H. Kim S. B. Ha D. W. Park J. H. Rhee H. S. Hyun S. J. Shin D. S. Kim D. H. Kim H. Y. Maeda S. Lee K. H. Kim Y. H. Kim M. C. Koh Y. S. Yoon B. Shin K. Lee N. I. Kangh S. B. Hwang K. H. Lee J. H. Ku J.-H. Nam S. W. Jung S. M. Kang H. K. Yoon J. S. Jung E. S. , In VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on, pp. 1. IEEE, (2016).
5. Wu S. Y. Lin C. Y. Chiang M. C. Liaw J. J. Cheng J. Y. Yang S. H. Tsai C. H. Chen P. N. Miyashita T. Chang C. H. Chang V. S. Pan K. H. Chen J. H. Mor Y. S. Lai K. T. Liang C. S. Chen H. F. Chang S. Y. Lin C. J. Hsieh C. H. Tsui R. F. Yao C. H. Chen C. C. Chen R. Lee C. H. Lin H. J. Chang C. W. Chen K. W. Tsai M. H. Chen K. S. Ku Y. Jang S. M. , In Electron Devices Meeting (IEDM), 2016 IEEE International, pp. 2. IEEE, (2016).