Effect of Intermetal Dielectric Layer On the Interpoly Dielectric Properties of Nonvolatile Memory Devices

Author:

Ryoo Jin-Yong,Sung Suk-Kang,Yim Yong-Sik,Song Jun-Eui,Shin Wang-Chul,Song Jai-Hyuk,Song Du-Heon,Choi Jeong-Hyuk,Roh Yonghan

Abstract

This paper describes the influence of water-related species contained in intermetal dielectric layer on the interpoly dielectric properties of nonvolatile memory devices. P-TEOS layer used as an intermetal dielectric enhances degradation of interpoly dielectric of nonvolatile memory devices due to the water-related components contained in the layer.

Publisher

The Electrochemical Society

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