Affiliation:
1. Ishlinsky Institute for Problems in Mechanics RAS
2. Ishlinsky Institute for Problems in Mechanis
Abstract
В монографии обобщены результаты математического и физического моделирования процессов механики при получении кристаллических материалов рядом технологически значимых промышленных технологий (выращивание технически ценных монокристаллов из расплава для микроэлектроники и из солевых растворов для фотоники, термическое прессование и кристаллизация из порошков для получения термоэлектрических материалов). Приводятся результаты исследования влияния основных управляющих воздействий на гидромеханику жидкой фазы (расплава и солевого раствора), включая управление вращением кристалла, тигля и различного рода мешалок, тепловой секционный нагрев стенок тигля, сложные конструкции кристаллизатора, применение магнитных полей и условия микрогравитации. Рассмотрены пути, обеспечивающие оптимизацию конструкций тепловых узлов и технологических параметров, управлеёние процессами переноса тепла и массы в жидкой и твердой фазах, включая управление напряженным состоянием и процессами дефектообразования в твердой фазе. Рассматриваются программные комплексы для математического моделирования, в том числе с возможностью дистанционной работы.
Монография предназначена для специалистов в области технологий получения кристаллических материалов, механики, теплофизики, а также аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Reference524 articles.
1. 1. Abe T. Thermal gradients measured by thermocouples near growth interfaces in CZ-silicon crystals // Electrochem. Soc. Proc. 1999. V. 99 (1). P. 414–424.
2. 2. Abe T. The formation mechanism of grown-in defects in CZ silicon crystals based on thermal gradients measured by thermocouples near growth interfaces // Silicon-99, Japan. 1999. P. 55–69.
3. 3. Abricka M.L., Krumins J., Gelfgat Yu. Numerical simulation of MHD rotator action on hydrodynamics and heat transfer in single crystal growth processes // J. Crystal Growth. 1997. V. 180. P. 388–400.
4. 4. Akatsuka M., Okui M., Umeno S., Sucoka K. Calculation of size distribution of void defect in Czochralski silicon // Electrochem. Soc. Proc. 2002. V. 2. No 1. P. 517–527.
5. 5. Alioshin A.A., Bletscan N.I., Bogatyriov S.I., Fedorenko V.N. Silicon furnace components for microelectronic applications fabricated from shaped silicon tubes // J. Crystal Growth. 1990. V. 104. P. 130–135.