Гетероструктуры на основе нитрида галлия на подложках кремния для мощных СВЧ-транзисторов-Reference-Cited by-同舟云学术

Гетероструктуры на основе нитрида галлия на подложках кремния для мощных СВЧ-транзисторов

Published:2020-01-18 Issue:7-8 Volume:14 Page:77-80
ISSN:1992-7223
Container-title:Российские нанотехнологии
language:
Short-container-title:Rossijskie nanotehnologii

Author:

Езубченко И. С.¹,Черных М. Я.²,Андреев А. А.²,Грищенко Ю. В.²,Черных И. А.²,Занавескин М. Л.²

Affiliation:

1. Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва

2. Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Abstract

Предложен и реализован уникальный метод формирования гетероструктур на основе нитрида галлия на подложках кремния при пониженных температурах роста (менее 950°С). Сформированная гетероструктура обладает атомарно-гладкой поверхностью со средней квадратичной шероховатостью 0.45 нм и высоким кристаллическим качеством. Среднее слоевое сопротивление канала двумерного электронного газа составило 415 Ом/квадрат при концентрации электронов 1.65 · 1013 см–2 и подвижности 920 см2 /В · с. Максимальная величина тока насыщения стока для транзисторов с шириной затвора 1.2 мм составила 930 мА/мм, что соответствует лучшим мировым результатам для нитрид-галлиевых транзисторов на подложках кремния.

Publisher

NRC Kurchatov Institute

Reference17 articles.

1. Ueda T. // Japanese Journal of Applied Physics. 2019. V. 58. P. SC0804.

2. Selvaraj S.L., Suzue T., Egawa T. // IEEE Electron Device Lett. 2009. V. 30. № 6. P. 587.

3. Zhu D., Wallis D.J., Humphreys C.J. // Rep. Prog. Phys. 2013. V. 76. P. 106501.

4. Baliga B.J. // Semicond. Sci. Technol. 2013. V. 28. № 7. P. 074011.

5. Wang K., Xing Y., Han J. et al. // Journal of Alloys and Compounds. 2016. V. 671. P. 435.