Сравнение политиофеновых мемристорных устройств, изготовленных послойным и центрифужным нанесением-Reference-Cited by-同舟云学术

Сравнение политиофеновых мемристорных устройств, изготовленных послойным и центрифужным нанесением

Published:2020-01-18 Issue:7-8 Volume:14 Page:71-76
ISSN:1992-7223
Container-title:Российские нанотехнологии
language:
Short-container-title:Rossijskie nanotehnologii

Author:

Прудников Н. В.¹,Коровин А. Н.²,Емельянов А. В.¹,Малахова Ю. Н.³,Демин В. А.¹,Чвалун С. Н.²,Ерохин В. В.⁴

Affiliation:

1. Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”; Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет)

2. Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

3. Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”; МИРЭА — Российский технологический университет, Институт тонких химических технологий

4. Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”; CNR-IMEM (National Research Council, Institute of Materials for Electronics and Magnetism)

Abstract

Проведено сравнение основных характеристик мемристорных элементов на основе политиофена, изготовленных методами Ленгмюра–Шефера и центрифужного нанесения (спин-коатинга). Продемонстрирована стабильность элементов на протяжении более 500 циклов электрической перезаписи для обоих методов. Показано, что элементы, изготовленные методом спин-коатинга, обладают более медленной кинетикой переключения, что, предположительно, связано с относительно более высокой однородностью поверхности пленки. Данное исследование может быть полезно для разработки политиофеновых мемристорных элементов с воспроизводимыми стабильными характеристиками, пригодными для различных применений: от элементов памяти до носимой и имплантируемой электроники и нейроморфных вычислительных систем.

Publisher

NRC Kurchatov Institute

Reference17 articles.

1. Strukov D. B., Snider G. S., Stewart D. R. et al. // Nature. 2008. V. 453. P. 80.

2. Emelyanov A.V., Lapkin D.A., Demin V.A. et al. // AIP Adv. 2016. V. 6. P. 111301.

3. Antonov I.N., Belov A.I., Mikhaylov A.N. et al. // J. Commun. Technol. Electron. 2018. V. 63. № 8. P. 950.

4. Pedretti G., Milo V., Ambrogio S. et al. // IEEE J. Emerg. Sel. Top. Circuits Syst. 2018. V. 8. P. 77.

5. Wang Z., Joshi S., Savel S. et al. // Nat. Electron. 2018. V. 1. P. 137.