Electron multiplying CMOS as Shack-Hartmann wavefront sensor
Author:
Affiliation:
1. Institut de Physique Nucléaire de Lyon (France)
2. e2v (France)
3. Univ. de Lyon (France)
Publisher
SPIE
Reference14 articles.
1. The LLCCD: low-light imaging without the need for an intensifier;Jerram,2001
2. Analysis of electron multiplying charge coupled device and scientific CMOS readout noise models for Shack–Hartmann wavefront sensor accuracy
3. A charge-multiplication CMOS image sensor suitable for low-light-level imaging.;Shimizu,2009
4. Electron Multiplying Device Made on a 180 nm Standard CMOS Imaging Technology;Fereyre,2015
5. A Theory of Multiplication Noise for Electron Multiplying CMOS Image Sensors
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