AlGaAs-based optically pumped semiconductor lasers
Author:
Publisher
SPIE
Reference10 articles.
1. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys
2. High-power diode-pumped AlGaAs surface-emitting laser
3. 0.5-W single transverse-mode operation of an 850-nm diode-pumped surface-emitting semiconductor laser
4. Novel Gain Medium Design for Short-Wavelength Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser
5. Single-frequency tunable VECSEL around the cesium D2 line;Cocquelin,2008
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Impact of the Interruption Duration on Photoluminescence Properties of MOCVD-Grown GaAsP/InAlGaAs Quantum Well Structures;Nanomaterials;2024-09-10
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