PMMA removal selectivity to PS using dry etch approach: sub-10nm patterning application

Author:

Sarrazin A.,Posseme N.,Pimenta Barros P.,Barnola S.,Claveau G.,Gharbi A.,Argoud M.,Chamiot-Maitral G.,Tiron R.,Nicolet C.,Navarro C.,Cardinaud C.

Publisher

SPIE

Reference26 articles.

1. Principle of Lithography;Levinson,2005

2. Integration of dry etching steps for double patterning and spacer patterning processes;Barnola,2009

3. ITRS 2013 Roadmap

4. Technological merits, process complexity, and cost analysis of self-aligned multiple patterning;Chen,2012

5. Patterning challenges of EUV lithography for 1X-nm node DRAM and beyond;Eom,2013

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