Numerical simulation study on quantum efficiency characteristics of InP/InGaAs/InP infrared photocathode

Author:

Xu Junkai1,Xu Xiangyan1,Tian Jinshou1,Luo Duan1,Hui Dandan1

Affiliation:

1. Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics (China)

Publisher

SPIE

Reference10 articles.

1. A thin film p-type GaN photocathode: Prospect for a high performance electron emitter;Machuca,2003

2. Hot‐electron attenuation length in Ag/InP Schottky barriers

3. Theoretical calculation of quantum effiviency for field-assisted InP/InGaAsP semiconductor photocathodes;Jinmin;Acta Physica Sinica,1992

4. Numerical study on time response characteristics of InP/InGaAs/InP infrared photocathode;Qiaoxia;Infrared And Laser Engineering,2013

5. Transferred electron photoemission from InP

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