The Scope Of MOVPE For Advanced IR CMT Detectors
Author:
Affiliation:
1. Royal Signals & Radar Establishment (England)
2. Philips Components (England)
Publisher
SPIE
Cited by 7 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Movpe Growth of MCT for LWIR Detectors;MRS Proceedings;1994
2. Metalorganic vapour phase epitaxy of mercury cadmium telluride;Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials;1994-01
3. GaAs substrates for the MOVPE growth of (Hg,Cd)Te layers;Advanced Materials for Optics and Electronics;1994-01
4. Substrate issues for the growth of mercury cadmium telluride;Journal of Electronic Materials;1993-08
5. Control of the electrical properties of In-doped HgCdTe grown by MOVPE for IR detector applications;Semiconductor Science and Technology;1991-12-01
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