980 nm tapered lasers with photonic crystal structure for low vertical divergence
Author:
Affiliation:
1. Institute of Semiconductors (China)
Publisher
SPIE
Reference27 articles.
1. High-power 808-nm tapered diode lasers with nearly diffraction-limited beam quality of M/sup 2/=1.9 at P=4.4 W
2. 600 mW optical output power at 488 nm by use of a high-power hybrid laser diode system and a periodically poled MgO:LiNbO3 bulk crystal
3. Advanced concepts of using diode lasers in material processing,;Loosen,1997
4. Tapered laser arrays for high power operation (> 1.4 W CW) at 1.59 [micro sign]m for applications in surgery
5. Efficient High-Power Laser Diodes
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1. 高功率1060 nm锥形激光器;Acta Optica Sinica;2022
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