Impact of MBE deposition conditions on InAs/GaInSb superlattices for very long wavelength infrared detection

Author:

Brown G. J.,Haugan H. J.,Mahalingam K.,Grazulis L.,Elhamri S.

Publisher

SPIE

Reference11 articles.

1. Theory of semiconductor superlattice electronic structure

2. Type-II superlattice photodiodes: an alternative for VLWIR detection;Brown,2003

3. Superlattice parameters for optimum absorption in InAs/InxGa1-xSb superlattice infrared detectors;Heller,1995

4. The family (InAs, GaSb, AlSb) and its heterostructures: a selective review

5. Modeling of very long infrared wavelength InAs/GaInSb strained layer superlattice detectors;Grein,2002

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