Monolithic GaInNAsSb/GaAs VECSEL emitting at 1550 nm
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Publisher
SPIE
Reference19 articles.
1. 106 W continuous-wave output power from vertical-external-cavity surface-emitting laser
2. High-Power Optically Pumped Semiconductor Laser at 1040 nm
3. Low threshold InGaAsN/GaAs lasers beyond 1500nm
4. Influence of arsenic flux on the annealing properties of GaInNAs quantum wells for long wavelength laser applications around 1.6μm
5. The role of antimony on properties of widely varying GaInNAsSb compositions
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