Effect of metal/semiconductor contact size on the annealing parameters of ohmic contract
Author:
Publisher
SPIE
Reference12 articles.
1. A review of the theory and technology for ohmic contacts to group III–V compound semiconductors
2. Microstructural analysis of Au/Pt/Ti contacts to p-type InGaAs
3. Reduced linewidth re-broadening by suppressing longitudinal spatial hole burning in high-power 1.55-μm continuous-wave distributed-feedback (CW-DFB) laser diodes
4. Formation Mechanism of Low Contact Resistance PdZn-based Ohmic Contacts for p-type InP
5. A survey of ohmic contacts to III-V compound semiconductors
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