Zinc Diffusion into Silicon by a Closed‐Tube, Two‐Temperature Technique

Author:

Zalar Stojan M.

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Reference16 articles.

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1. The electrical properties of zinc in silicon;Applied Physics A Solids and Surfaces;1990-02

2. Kick-out diffusion of zinc in silicon at 1262 K;Journal of Physics: Condensed Matter;1989-09-11

3. A zinc-related isoelectronic bound exciton in silicon;Solid State Communications;1988-05

4. Properties of high performance background limited p type Si:Zn photoconductors;Solid-State Electronics;1981-03

5. Thermal ionization rates and energies of holes at the double acceptor zinc centers in silicon;Physica Status Solidi (a);1972-12-16

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