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Temperature Dependence of Double Injection in a Long Silicon p+‐π‐n+ Structure

  • Published:1970-07 Issue:8 Volume:41 Page:3467-3474
  • ISSN:0021-8979
  • Container-title:Journal of Applied Physics
  • language:en
  • Short-container-title:Journal of Applied Physics

Author:

Lee D. H.

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Negative magnetoresistance in asymmetric p+–i–n+ structures;Physica Status Solidi (a);1974-09-16

2. Double Injection inp-Type Silicon;Japanese Journal of Applied Physics;1973-03

3. Magnetodiode model;Solid-State Electronics;1972-03
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