Suppression of excess oxygen for environmentally stable amorphous In-Si-O thin-film transistors

Author:

Aikawa Shinya12ORCID,Mitoma Nobuhiko1,Kizu Takio1ORCID,Nabatame Toshihide3,Tsukagoshi Kazuhito1

Affiliation:

1. International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan

2. Research Institute for Science and Technology, Kogakuin University, Hachioji, Tokyo 192-0015, Japan

3. MANA Foundry and MANA Advanced Device Materials Group, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan

Funder

Grants-in-Aid for Scientific Research

Japan Synchrotron Radiation Research Institute

JGC-S Scholarship Foundation

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

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